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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C512M8D3LA-12BINTR
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5236338AS4C512M8D3LA-12BINTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3LA-12BINTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C512M8D3LA-12BINTR
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C512M8D3LA-12BINTR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (10.5x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    78-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns

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AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C512M8D3L-12BINTR

AS4C512M8D3L-12BINTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3LB-12BANTR

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Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

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RFQ
AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

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AS4C512M8D3LA-12BAN

AS4C512M8D3LA-12BAN

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RFQ
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

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RFQ
AS4C512M8D3L-12BIN

AS4C512M8D3L-12BIN

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AS4C512M8D3L-12BCN

AS4C512M8D3L-12BCN

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RFQ
AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C512M8D3LA-12BCN

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AS4C512M8D3L-12BAN

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AS4C512M8D3L-12BCNTR

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AS4C64M16D1-6TINTR

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AS4C512M8D3LA-12BCNTR

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AS4C512M8D3LA-12BANTR

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AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

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AS4C64M16D1-6TIN

AS4C64M16D1-6TIN

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AS4C512M8D3LB-12BCN

AS4C512M8D3LB-12BCN

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AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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