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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M16D1-6TIN
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4033733AS4C64M16D1-6TIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C64M16D1-6TIN

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$21.715
324+
$20.98
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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M16D1-6TIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C64M16D1-6TIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1333
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    700ps

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Expédition
Paiement
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AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16D2-25BANTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C512M8D3LA-12BINTR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16D2-25BCNTR

AS4C64M16D2-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3LB-12BANTR

AS4C512M8D3LB-12BANTR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D1A-6TINTR

AS4C64M16D1A-6TINTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M16D2-25BIN

AS4C64M16D2-25BIN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

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AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M16D1A-6TCNTR

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AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

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AS4C512M8D3LB-12BCN

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AS4C64M16D1-6TINTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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