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AS4C64M4SA-6TINTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M4SA-6TINTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (64M x 4)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5ns
AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD1-5BCNTR

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D1-5TINTR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M4SA-7TCN

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M32MD1-5BINTR

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M8D1-5BCN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M32MD1-5BCN

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AS4C64M32MD2A-25BCNTR

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AS4C64M32MD1-5BIN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M8D1-5TIN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M8D1-5BINTR

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AS4C64M4SA-7TCNTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M4SA-6TIN

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M32MD2A-25BCN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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AS4C64M8D1-5BIN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M8D1-5BCNTR

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AS4C64M16MD2A-25BCNTR

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AS4C64M8D1-5TCNTR

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AS4C64M32MD2-25BCN

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