Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M32MD2-25BCNTR
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5634327

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M32MD2-25BCNTR
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C64M32MD2-25BCNTR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-FBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (64M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C64M32MD2-25BCNTR".
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCN

AS4C64M16MD2A-25BCN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.