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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M32MD1-5BINTR
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4215723AS4C64M32MD1-5BINTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C64M32MD1-5BINTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M32MD1-5BINTR
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C64M32MD1-5BINTR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-FBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (64M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16MD1A-5BIN

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16MD1-6BINTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M16MD2-25BCN

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M32MD1-5BCN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD1A-5BINTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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AS4C64M16MD2A-25BCN

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AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

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AS4C64M8D1-5BCN

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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