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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C8M32SA-6BIN
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5746559AS4C8M32SA-6BIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-6BIN

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$6.333
570+
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1140+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C8M32SA-6BIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C8M32SA-6BIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    2ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    90-TFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    90-TFBGA
  • Autres noms
    1450-1423
    AS4C8M32SA-6BIN-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (8M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C8M32SA-6BIN".
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
En stock
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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