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1939019AS4PD-M3/87A imageElectro-Films (EFI) / Vishay

AS4PD-M3/87A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4PD-M3/87A
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4PD-M3/87A.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    962mV @ 2A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    TO-277A (SMPC)
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    eSMP®
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    1.8µs
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    44 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Avalanche
  • Description détaillée
    Diode Avalanche 200V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    2.4A (DC)
  • Capacité à Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    AS4PD

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Expédition
Paiement
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AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4PGHM3/87A

AS4PGHM3/87A

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
AS4PGHM3_A/I

AS4PGHM3_A/I

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
AS4PGHM3_A/H

AS4PGHM3_A/H

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-7BCNTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-7TCNTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4PGHM3/86A

AS4PGHM3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4PG-M3/86A

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La description: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4PDHM3_A/I

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La description: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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