Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMG3415U-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4579196DMG3415U-7 imageDiodes Incorporated

DMG3415U-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.104
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMG3415U-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMG3415U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-23-3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    900mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    DMG3415U7
    DMG3415UDITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    294pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Ta)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMG3415U-7".
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

La description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

La description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

La description: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

La description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

La description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

La description: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

La description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

La description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

La description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

La description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.