Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMG3420U-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3984160DMG3420U-7 imageDiodes Incorporated

DMG3420U-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$0.50
10+
$0.362
100+
$0.213
500+
$0.121
1000+
$0.093
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMG3420U-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMG3420U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-23-3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    740mW (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    DMG3420U-7DICT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    434.7pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 5.47A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.47A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMG3420U-7".
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

La description: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

La description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

La description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

La description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

La description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

La description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

La description: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

La description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

La description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

La description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

La description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

La description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

La description: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

La description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

La description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.