DMG3N60SJ3

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Spécifications

Modèle de produit

DMG3N60SJ3
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMG3N60SJ3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

41W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3, IPak, Short Leads
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

354pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.8A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMG3N60SJ3".

DMG3N60SCT

La description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated

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