DMG4468LFG

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Spécifications

Modèle de produit

DMG4468LFG
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMG4468LFG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

U-DFN3030-8
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

990mW (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerUDFN
Autres noms

1034-DMG4468LFGDIDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

867pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.85nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.62A (Ta)

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DMG4413LSS-13

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated

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