Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > DMN1029UFDB-13
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4966350DMN1029UFDB-13 imageDiodes Incorporated

DMN1029UFDB-13

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
10000+
$0.138
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN1029UFDB-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN1029UFDB-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Puissance - Max
    1.4W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-UDFN Exposed Pad
  • Autres noms
    DMN1029UFDB-13DI
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    914pF @ 6V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 8V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Standard
  • Tension drain-source (Vdss)
    12V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.6A

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN1029UFDB-13".
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

La description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

La description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

La description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

La description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

La description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

La description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

La description: MOSFET N-CH30V SC-59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

La description: MOSFET N-CH30V SC-59

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

La description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

La description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.