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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN10H100SK3-13
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3959087DMN10H100SK3-13 imageDiodes Incorporated

DMN10H100SK3-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN10H100SK3-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 18A TO252
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN10H100SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-252
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    37W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    DMN10H100SK3-13DIDKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 18A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN10H100SK3-13".
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

La description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
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