DMN1032UCB4-7

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Spécifications

Modèle de produit

DMN1032UCB4-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN1032UCB4-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

U-WLB1010-4
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

900mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

4-UFBGA, WLBGA
Autres noms

DMN1032UCB4-7DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.8A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DMN1032UCB4-7".

DMN1019USN-13

La description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Fabricant: Diodes Incorporated

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