DMN95H2D2HCTI

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Spécifications

Modèle de produit

DMN95H2D2HCTI
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN95H2D2HCTI.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ITO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1487pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

950V
Description détaillée

N-Channel 950V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN95H2D2HCTI".

DMNF1-485FIB-3K

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Fabricant: Panduit

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