DMN95H8D5HCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMN95H8D5HCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMN95H8D5HCT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMN95H8D5HCT-ND
DMN95H8D5HCTDI
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

950V
Description détaillée

N-Channel 950V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMN95H8D5HCT".

DMNF1-288-C

La description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Fabricant: Panduit

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