DMT10H010LCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMT10H010LCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta), 139W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMT10H010LCTDI
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

98A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMT10H010LCT".

DMT10H015LFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 10A

Fabricant: Diodes Incorporated

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