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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMT10H014LSS-13
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2921395DMT10H014LSS-13 imageDiodes Incorporated

DMT10H014LSS-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT10H014LSS-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT10H014LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 8.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8.9A (Ta)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMT10H014LSS-13".
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

La description: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 10A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

La description: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

La description: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 10A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

La description: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

La description: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-7-15

DMT-7-15

La description: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

La description: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

La description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

La description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

La description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-7-12

DMT-7-12

La description: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

La description: MOSFET N-CH 100V SO-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

La description: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

La description: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Fabricant: Amprobe
En stock
RFQ
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