Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMT10H015LCG-7
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5330491

DMT10H015LCG-7

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2000+
$0.435
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT10H015LCG-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT10H015LCG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    V-DFN3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-VDFN Exposed Pad
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.4A (Ta), 34A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMT10H015LCG-7".
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

La description: MOSFET N-CH 100V SO-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

La description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

La description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

La description: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Fabricant: Amprobe
En stock
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

La description: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

La description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 10A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

La description: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

La description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

La description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

La description: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

La description: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

La description: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Fabricant: Bel
En stock
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

La description: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

La description: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 10A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

La description: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.