Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMT8012LSS-13
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
260307DMT8012LSS-13 imageDiodes Incorporated

DMT8012LSS-13

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2500+
$0.403
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT8012LSS-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT8012LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.5 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.5W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    DMT8012LSS-13DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    80V
  • Description détaillée
    N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.7A (Ta)

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMT8012LSS-13".
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

La description: MOSFET 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

La description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

La description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

La description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

La description: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

La description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

La description: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

La description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.