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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMTH10H005LCT
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DMTH10H005LCT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMTH10H005LCT
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMTH10H005LCT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    187W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3688pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 140A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    140A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMTH10H005LCT".
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

La description: MOSFET 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

La description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

La description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

La description: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

La description: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

La description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

La description: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

La description: MOSFET NCH 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

La description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

La description: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
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