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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMT8012LFG-13
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3436061DMT8012LFG-13 imageDiodes Incorporated

DMT8012LFG-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT8012LFG-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT8012LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.2W (Ta), 30W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerWDFN
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    80V
  • Description détaillée
    N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.5A (Ta), 35A (Tc)

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Expédition
Paiement
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DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

La description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

La description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

La description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

La description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

La description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

La description: MOSFET 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

La description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

La description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

La description: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

La description: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

La description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

La description: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

La description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

La description: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
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