RS3DB-13

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Spécifications

Modèle de produit

RS3DB-13
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

RS3DB-13.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

3A
Tension - Ventilation

SMB
Séries

-
État RoHS

Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

50pF @ 4V, 1MHz
Polarisation

DO-214AA, SMB
Température d'utilisation - Jonction

150ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

RS3DB-13
Description élargie

Diode Standard 200V 3A Surface Mount SMB
Configuration diode

5µA @ 200V
La description

DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
Courant - fuite, inverse à Vr

1.3V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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Ce qui suit est des produits liés à "RS3DB-13".

RS3E075ATTB

La description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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