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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS3DHE3/9AT
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2559643RS3DHE3/9AT imageElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3DHE3/9AT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS3DHE3/9AT
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS3DHE3/9AT.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 2.5A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    44pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    RS3D

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS3DHE3/9AT".
RS3D-13-F

RS3D-13-F

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS3E075ATTB

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La description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
RS3D-13

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
RS3D V7G

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS3DHR7G

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3DHE3_A/I

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3DB-13

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
RS3DB-13-F

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
RS3D-M3/57T

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G V7G

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3E095BNGZETB

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La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS3G R7G

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3DHE3_A/H

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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