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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RS3E135BNGZETB
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RS3E135BNGZETB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS3E135BNGZETB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS3E135BNGZETB.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    RS3E135BNGZETBCT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.5A (Ta)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS3E135BNGZETB".
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G/7T

RS3G/7T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS3G-13-F

RS3G-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

La description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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