US1M-13-F

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Spécifications

Modèle de produit

US1M-13-F
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

US1M-13-F.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

SMA
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

US1M-FDITR
US1M13F
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 1A Surface Mount SMA
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz
Numéro de pièce de base

US1M

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "US1M-13-F".

US1KHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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