US1M R3G

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Spécifications

Modèle de produit

US1M R3G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

US1M R3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-214AC (SMA)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

US1M R3GTR
US1M R3GTR-ND
US1MR3GTR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "US1M R3G".

US1M-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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