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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > US1KHM2G
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6144817US1KHM2G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

US1KHM2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    US1KHM2G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    US1KHM2G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AC (SMA)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1M R3G

US1M R3G

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1KHR3G

US1KHR3G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1K-M3/61T

US1K-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1M M2G

US1M M2G

La description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1K-TP

US1K-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
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RFQ
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
US1M-13

US1M-13

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1M-13-F

US1M-13-F

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1KFA

US1KFA

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
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