ZXMN10A08DN8TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN10A08DN8TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN10A08DN8TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 3.2A, 10V
Puissance - Max

1.25W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMN10A08DN8TACT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.6A

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN10A08DN8TA".

ZXMN10A09KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated

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