Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > ZXMN10A08DN8TA
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1487992ZXMN10A08DN8TA imageDiodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TA

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$1.13
10+
$0.989
100+
$0.763
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN10A08DN8TA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN10A08DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Puissance - Max
    1.25W
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    ZXMN10A08DN8TACT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.6A

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN10A08DN8TA".
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

La description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

La description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

La description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

La description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

La description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

La description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

La description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

La description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

La description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

La description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

La description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

La description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

La description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

La description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

La description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

La description: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.