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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMN10A08GTA
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1943083ZXMN10A08GTA imageDiodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN10A08GTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN10A08GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    ZXMN10A08G
    ZXMN10A08GTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2A (Ta)

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Expédition
Paiement
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ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

La description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

La description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

La description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

La description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

La description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

La description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

La description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

La description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

La description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

La description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

La description: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

La description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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