ZXMN10A11K

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN10A11K
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN10A11K.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.11W (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

ZXMN10A11KDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

274pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 2.4A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.4A (Ta)

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