Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > ZXMN2A04DN8TA
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2422290ZXMN2A04DN8TA imageDiodes Incorporated

ZXMN2A04DN8TA

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
500+
$1.248
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN2A04DN8TA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN2A04DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA (Min)
  • Package composant fournisseur
    8-SOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
  • Puissance - Max
    1.8W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    ZXMN2A04DN8TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1880pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    22.1nC @ 5V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.9A

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN2A04DN8TA".
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

La description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

La description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

La description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

La description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

La description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

La description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

La description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC

La description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

La description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

La description: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

La description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

La description: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

La description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

La description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

La description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

La description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.