ZXMN2F30FHQTA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN2F30FHQTA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN2F30FHQTA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.4W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

452pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 4.9A (Ta) 1.4W Surface Mount SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.9A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN2F30FHQTA".

ZXMN2AM832TA

La description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Fabricant: Diodes Incorporated

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