ZXMN2AM832TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN2AM832TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN2AM832TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-MLP (3x2)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 4A, 4.5V
Puissance - Max

1.7W
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-VDFN Exposed Pad
Autres noms

ZXMN2AM832DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

299pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.9A

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ZXMN2A01FTC

La description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated

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