Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMN3A01FTA
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
796575ZXMN3A01FTA imageDiodes Incorporated

ZXMN3A01FTA

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.178
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN3A01FTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN3A01FTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-23-3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    625mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    ZXMN3A01FTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 1.8A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN3A01FTA".
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

La description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

La description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

La description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

La description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

La description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

La description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

La description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

La description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

La description: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

La description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

La description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

La description: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

La description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

La description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

La description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

La description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.