ZXMN2F34MATA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN2F34MATA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN2F34MATA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DFN322
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.35W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-VDFN
Autres noms

ZXMN2F34MATR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

277pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN2F34MATA".

ZXMN3A02N8TC

La description: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated

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