Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMN4A06GTA
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
197872ZXMN4A06GTA imageDiodes Incorporated

ZXMN4A06GTA

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$0.396
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN4A06GTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN4A06GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    ZXMN4A06GTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    770pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN4A06GTA".
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

La description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

La description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

La description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

La description: MOSFETN-CH 60VSOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

La description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

La description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

La description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

La description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

La description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

La description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

La description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

La description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

La description: MOSFET N-CH 60VSOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

La description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

La description: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.