ZXMN6A11GTC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN6A11GTC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN6A11GTC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.1A (Ta)

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ZXMN6A25DN8TA

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated

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