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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMN6A11GTA
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5188700ZXMN6A11GTA imageDiodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN6A11GTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN6A11GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    ZXMN6A11GDKR
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.1A (Ta)

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Expédition
Paiement
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ZXMN6A09DN8TA

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La description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

La description: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

La description: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

La description: MOSFET N-CH 60V SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

La description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

La description: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

La description: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

La description: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

La description: MOSFET N-CH 60V 8SO

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

La description: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

La description: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

La description: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

La description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

La description: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

La description: MOSFET N-CH 60V DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

La description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

La description: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

La description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
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