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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > ZXMN6A09DN8TA
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6524311ZXMN6A09DN8TA imageDiodes Incorporated

ZXMN6A09DN8TA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMN6A09DN8TA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMN6A09DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Puissance - Max
    1.25W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    ZXMN6A09DN8TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.3A

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Paiement
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Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricant: Diodes Incorporated
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ZXMN6A11ZTA

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La description: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

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La description: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated
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