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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M009A070F
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3594751GP1M009A070F imageGlobal Power Technologies Group

GP1M009A070F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP1M009A070F
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP1M009A070F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220F
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1944pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    700V
  • Description détaillée
    N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9A (Tc)

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Expédition
Paiement
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GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

La description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

La description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

La description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

La description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

La description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

La description: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

La description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

La description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

La description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

La description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

La description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

La description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

La description: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

La description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
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