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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M011A050FH

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Global Power Technologies Group

GP1M011A050FH

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Spécifications

Modèle de produit

GP1M011A050FH
Fabricant / marque

SemiQ
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

GP1M011A050FH.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

670 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

51.4W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

1560-1178-1
1560-1178-1-ND
1560-1178-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1423pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 11A (Tc) 51.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

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La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

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GP1M016A025CG

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GP1M010A080N

La description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

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