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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP2M008A060HG
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1229375GP2M008A060HG imageGlobal Power Technologies Group

GP2M008A060HG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP2M008A060HG
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP2M008A060HG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    120W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1063pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7.5A (Tc)

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Expédition
Paiement
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GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

La description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

La description: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

La description: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

La description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

La description: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

La description: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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GP2M010A060F

GP2M010A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

La description: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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