Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP2M010A065H
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3075613GP2M010A065H imageGlobal Power Technologies Group

GP2M010A065H

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    GP2M010A065H
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP2M010A065H.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    820 mOhm @ 4.75A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    198W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    1560-1208-1
    1560-1208-1-ND
    1560-1208-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1670pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 9.5A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.5A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GP2M010A065H".
GP2M023A050N

GP2M023A050N

La description: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

La description: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

La description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

La description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

La description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

La description: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

La description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

La description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.