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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP2M023A050N
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785275GP2M023A050N imageGlobal Power Technologies Group

GP2M023A050N

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP2M023A050N
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP2M023A050N.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-3PN
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    347W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3270pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    23A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GP2M023A050N".
GP2M020A050F

GP2M020A050F

La description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

La description: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

La description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S27T

GP2S27T

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

La description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S24

GP2S24

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

La description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

La description: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2S27T6J00F

GP2S27T6J00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

La description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
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