Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB020N10N5LFATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4540207IPB020N10N5LFATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB020N10N5LFATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$9.35
10+
$8.415
100+
$6.919
500+
$5.797
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB020N10N5LFATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB020N10N5LFATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3
  • Séries
    OptiMOS™-5
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    313W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB020N10N5LFATMA1DKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    840pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB020N10N5LFATMA1".
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.