International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB022N04LGATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB022N04LGATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB022N04LGATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 95µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (max)

167W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB022N04L G
IPB022N04L G-ND
IPB022N04L GTR-ND
IPB022N04LGATMA1TR
SP000391497
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

166nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

90A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB022N04LGATMA1".

IPB020N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

IPB022N04LGATMA1

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