International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R065C7ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB65R065C7ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO263-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB65R065C7ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

171W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP001080110
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 7.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.3A (Tc)

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IPB65R150CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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