International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R110CFDAATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB65R110CFDAATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO263-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB65R110CFDAATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.3mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

277.8W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB65R110CFDAATMA1-ND
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

31.2A (Tc)

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IPB65R095C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

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