International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R225C7ATMA2

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Spécifications

Modèle de produit

IPB65R225C7ATMA2
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB65R225C7ATMA2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3
Séries

CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 4.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

63W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB65R225C7ATMA2DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

996pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB65R225C7ATMA2".

IPB65R310CFDAATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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